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Eintrag

Kategorie:
Reactive ion etching

Art des Gerätes:
Sonstiges/Other

Bezeichnung der übergeordneten Forschungsinfrastruktur (optional):
Sonstiges/Other

Zusätzliche Methoden und Synergien mit anderen Geräten (optional):

Identifikationsnummer (optional):
sonstiges-other-54

Kurze Beschreibung des Gerätes (maximal 5000 Zeichen):
"Inductively coupled plasma (ICP) deep reactive ion etching (DRIE) of Si and SiO2. Bosch process. Temparture down to - 150 °C. ICP power: 2 kW. HF power: 300 W."

Hersteller:
Oxford Instruments Plasma Technology

Jahr des Erwerbs (optional):

Modell:
PlasmaPro 100 Cobra (tool 1)

Notwendige / einschränkende Rahmenbedingungen für den Einsatz (optional):
"from samples up to 6"" wafers / Material category A, B"

Nutzergruppen:
Internals and externals

Art der Nutzung:
Operator

Fakultät:

• Faculty 6 – Electrical Engineering and Information Technology

Fachgruppe / Lehreinheit (optional):

Institutskennziffer (IKZ):
ZMNT – Central Laboratory for Micro- and Nanotechnology

Website (optional)

Adresse (optional):
ZMNT, module 1, Building No. 4230, Room 006

Ansprechpartner*in:
Dr.-Ing. Birger Berghoff

E-Mailadresse (optional):